Siehe Wikipedia
"Bei Solarzellen, die aus einem Material mit kleiner Diffusionslänge bestehen, reicht die Raumladungszone mit dem elektrischen Feld möglichst weit in das Material hinein. Dies wird durch gezielte Dotierung des Materials eingestellt (siehe Halbleitertechnologie). Um das gewünschte Profil zu erzeugen, wird gewöhnlich eine dünne Oberflächenschicht stark n-dotiert, die dickere Schicht darunter schwach p-dotiert. Das hat eine Raumladungszone mit hoher Weite zur Folge. Wenn in dieser Zone nun Photonen einfallen und Elektron-Loch-Paare erzeugen (innerer Photoeffekt), so werden durch das elektrische Feld die Löcher zum untenliegenden p-Material beschleunigt und umgekehrt die Elektronen zum n-Kontakt auf der (sonnenzugewandten) Oberseite. ....
Bei typischen kristallinen Siliciumsolarzellen mit Waferdicken von rund 200 µm ist der größte Teil des lichtabsorbierenden Materials feldfrei, er wird Basis genannt. In der Basis diffundieren die optisch angeregten Minoritätsladungsträger (Elektronen bei n-dotierter Basis bzw. Löcher bei p-dotierter Basis) frei umher."
Es spielt dabei keine Rolle ob die Basis n- oder p-dotiert ist. Von daher ist leistungstechnisch kein Unterschied zwischen den beiden möglichen Dotierungsarten zu erwarten. Mir ist auch bei Datenblätten von Modulen nie aufgefallen, dass hierüber Angaben gemacht werden. Letztlich wichtig ist für den Anwender m.E. der Wirkungsgrad und die garantierte Lebensdauer (Degradation der Leistung über die Lebensdauer).